| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N4930U4 |
| Référence EBEE | E87174723 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 1W 50@30mA,10V 200mA PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $217.6318 | $ 217.6318 |
| 200+ | $86.8377 | $ 17367.5400 |
| 500+ | $83.9361 | $ 41968.0500 |
| 1000+ | $82.5018 | $ 82501.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N4930U4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 250nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@30mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.2V@3mA,30mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $217.6318 | $ 217.6318 |
| 200+ | $86.8377 | $ 17367.5400 |
| 500+ | $83.9361 | $ 41968.0500 |
| 1000+ | $82.5018 | $ 82501.8000 |
