| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3997 |
| Référence EBEE | E85487616 |
| Boîtier | TO-111 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 2W 80@1A,2V 10A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $721.9700 | $ 721.9700 |
| 200+ | $288.0714 | $ 57614.2800 |
| 500+ | $278.4454 | $ 139222.7000 |
| 1000+ | $273.6882 | $ 273688.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 80@1A,2V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2V@500mA,5A | |
| Type de transistor | NPN |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $721.9700 | $ 721.9700 |
| 200+ | $288.0714 | $ 57614.2800 |
| 500+ | $278.4454 | $ 139222.7000 |
| 1000+ | $273.6882 | $ 273688.2000 |
