| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3879A |
| Référence EBEE | E85503542 |
| Boîtier | TO-66(TO-213AA) |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 75V 35W 20@4A,5V 7A NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $64.2807 | $ 64.2807 |
| 200+ | $25.6493 | $ 5129.8600 |
| 500+ | $24.7919 | $ 12395.9500 |
| 1000+ | $24.3685 | $ 24368.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 7A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 25mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 75V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@4A,5V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.2V@400mA,4A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $64.2807 | $ 64.2807 |
| 200+ | $25.6493 | $ 5129.8600 |
| 500+ | $24.7919 | $ 12395.9500 |
| 1000+ | $24.3685 | $ 24368.5000 |
