| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3838/TR |
| Référence EBEE | E83198385 |
| Boîtier | Flatpack-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 350mW 100@150mA,10V 600mA NPN+PNP Flatpack-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $149.4911 | $ 149.4911 |
| 200+ | $57.8514 | $ 11570.2800 |
| 500+ | $55.8179 | $ 27908.9500 |
| 1000+ | $54.8136 | $ 54813.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3838/TR | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 600mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Type de transistor | NPN+PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $149.4911 | $ 149.4911 |
| 200+ | $57.8514 | $ 11570.2800 |
| 500+ | $55.8179 | $ 27908.9500 |
| 1000+ | $54.8136 | $ 54813.6000 |
