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Microchip Tech 2N3767
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3767 |
| Référence EBEE | E83201415 |
| Boîtier | TO-66(TO-213AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 25W 40@500mA,5V NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $81.0359 | $ 81.0359 |
| 200+ | $31.3611 | $ 6272.2200 |
| 500+ | $30.2574 | $ 15128.7000 |
| 1000+ | $29.7145 | $ 29714.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3767 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 500uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@500mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2.5V@1A,100mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $81.0359 | $ 81.0359 |
| 200+ | $31.3611 | $ 6272.2200 |
| 500+ | $30.2574 | $ 15128.7000 |
| 1000+ | $29.7145 | $ 29714.5000 |
