| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3765UA |
| Référence EBEE | E85487607 |
| Boîtier | SMD-4P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 500mW [email protected],5V 1.5A PNP SMD-4P Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $189.7073 | $ 189.7073 |
| 200+ | $75.6947 | $ 15138.9400 |
| 500+ | $73.1663 | $ 36583.1500 |
| 1000+ | $71.9151 | $ 71915.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3765UA | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | [email protected],5V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 900mV@100mA,1A | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $189.7073 | $ 189.7073 |
| 200+ | $75.6947 | $ 15138.9400 |
| 500+ | $73.1663 | $ 36583.1500 |
| 1000+ | $71.9151 | $ 71915.1000 |
