Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Microchip Tech 2N3749
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3749 |
| Référence EBEE | E83200693 |
| Boîtier | TO-111 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 2W 40@1A,2V 5A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $385.4852 | $ 385.4852 |
| 200+ | $149.1789 | $ 29835.7800 |
| 500+ | $143.9355 | $ 71967.7500 |
| 1000+ | $141.3449 | $ 141344.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3749 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 20uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@1A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@5A,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $385.4852 | $ 385.4852 |
| 200+ | $149.1789 | $ 29835.7800 |
| 500+ | $143.9355 | $ 71967.7500 |
| 1000+ | $141.3449 | $ 141344.9000 |
