| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3739 |
| Référence EBEE | E83201411 |
| Boîtier | TO-66(TO-213AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 300V 20W 25@250mA,10V 1A NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $117.3440 | $ 117.3440 |
| 200+ | $45.4110 | $ 9082.2000 |
| 500+ | $43.8158 | $ 21907.9000 |
| 1000+ | $43.0261 | $ 43026.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3739 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 20W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 300V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 25@250mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2.5V@250mA,25mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $117.3440 | $ 117.3440 |
| 200+ | $45.4110 | $ 9082.2000 |
| 500+ | $43.8158 | $ 21907.9000 |
| 1000+ | $43.0261 | $ 43026.1000 |
