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Microchip Tech 2N3637
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3637 |
| Référence EBEE | E86404311 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 175V 1W 100@50mA,10V 1A PNP TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $39.1772 | $ 39.1772 |
| 200+ | $15.6332 | $ 3126.6400 |
| 500+ | $15.1104 | $ 7555.2000 |
| 1000+ | $14.8525 | $ 14852.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3637 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 175V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@50mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@5mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $39.1772 | $ 39.1772 |
| 200+ | $15.6332 | $ 3126.6400 |
| 500+ | $15.1104 | $ 7555.2000 |
| 1000+ | $14.8525 | $ 14852.5000 |
