Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Microchip Tech 2N3636UB/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3636UB/TR |
| Référence EBEE | E85487592 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 175V 1W 50@50mA,10V 1A PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $40.6634 | $ 40.6634 |
| 200+ | $16.2254 | $ 3245.0800 |
| 500+ | $15.6834 | $ 7841.7000 |
| 1000+ | $15.4151 | $ 15415.1000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 175V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@50mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@5mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $40.6634 | $ 40.6634 |
| 200+ | $16.2254 | $ 3245.0800 |
| 500+ | $15.6834 | $ 7841.7000 |
| 1000+ | $15.4151 | $ 15415.1000 |
