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Microchip Tech 2N3507
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3507 |
| Référence EBEE | E85495899 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 1W 35@500mA,1V 3A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $74.2345 | $ 74.2345 |
| 200+ | $29.6207 | $ 5924.1400 |
| 500+ | $28.6309 | $ 14315.4500 |
| 1000+ | $28.1412 | $ 28141.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3507 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 35@500mA,1V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@250mA,2.5A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $74.2345 | $ 74.2345 |
| 200+ | $29.6207 | $ 5924.1400 |
| 500+ | $28.6309 | $ 14315.4500 |
| 1000+ | $28.1412 | $ 28141.2000 |
