| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3506U4 |
| Référence EBEE | E86667579 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 1W 50@500mA,1V 3A NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $356.4529 | $ 356.4529 |
| 200+ | $142.2274 | $ 28445.4800 |
| 500+ | $137.4747 | $ 68737.3500 |
| 1000+ | $135.1271 | $ 135127.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3506U4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@500mA,1V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@250mA,2.5A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $356.4529 | $ 356.4529 |
| 200+ | $142.2274 | $ 28445.4800 |
| 500+ | $137.4747 | $ 68737.3500 |
| 1000+ | $135.1271 | $ 135127.1000 |
