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Microchip Tech 2N3506A
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3506A |
| Référence EBEE | E86404307 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 1W 50@500mA,1V 3A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $36.4985 | $ 36.4985 |
| 200+ | $14.5631 | $ 2912.6200 |
| 500+ | $14.0769 | $ 7038.4500 |
| 1000+ | $13.8365 | $ 13836.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3506A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@500mA,1V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@250mA,2.5A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $36.4985 | $ 36.4985 |
| 200+ | $14.5631 | $ 2912.6200 |
| 500+ | $14.0769 | $ 7038.4500 |
| 1000+ | $13.8365 | $ 13836.5000 |
