| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3499UB |
| Référence EBEE | E86667573 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 1W 100@150mA,10V 500mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $73.6957 | $ 73.6957 |
| 200+ | $29.4052 | $ 5881.0400 |
| 500+ | $28.4239 | $ 14211.9500 |
| 1000+ | $27.9376 | $ 27937.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@30mA,300mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $73.6957 | $ 73.6957 |
| 200+ | $29.4052 | $ 5881.0400 |
| 500+ | $28.4239 | $ 14211.9500 |
| 1000+ | $27.9376 | $ 27937.6000 |
