Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Microchip Tech 2N3439U4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3439U4 |
| Référence EBEE | E83202196 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3439U4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 350V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
