| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3439 |
| Référence EBEE | E82764434 |
| Boîtier | TO-39-3 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $20.8459 | $ 20.8459 |
| 10+ | $20.0492 | $ 200.4920 |
| 30+ | $18.6705 | $ 560.1150 |
| 100+ | $17.4675 | $ 1746.7500 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 5uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 350V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $20.8459 | $ 20.8459 |
| 10+ | $20.0492 | $ 200.4920 |
| 30+ | $18.6705 | $ 560.1150 |
| 100+ | $17.4675 | $ 1746.7500 |
