| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3250AUB |
| Référence EBEE | E86803372 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 360mW 50@10mA,1V 200mA PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $105.8631 | $ 105.8631 |
| 200+ | $42.2411 | $ 8448.2200 |
| 500+ | $40.8294 | $ 20414.7000 |
| 1000+ | $40.1322 | $ 40132.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N3250AUB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 360mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 20nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@10mA,1V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@5mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $105.8631 | $ 105.8631 |
| 200+ | $42.2411 | $ 8448.2200 |
| 500+ | $40.8294 | $ 20414.7000 |
| 1000+ | $40.1322 | $ 40132.2000 |
