| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N2907A |
| Référence EBEE | E85444761 |
| Boîtier | TO-18 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 500mW 100@150mA,10V 600mA PNP TO-18 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3429 | $ 1.3429 |
| 10+ | $1.1374 | $ 11.3740 |
| 25+ | $1.0242 | $ 25.6050 |
| 100+ | $0.8970 | $ 89.7000 |
| 500+ | $0.8395 | $ 419.7500 |
| 1000+ | $0.8151 | $ 815.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N2907A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 600mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.6V@50mA,500mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3429 | $ 1.3429 |
| 10+ | $1.1374 | $ 11.3740 |
| 25+ | $1.0242 | $ 25.6050 |
| 100+ | $0.8970 | $ 89.7000 |
| 500+ | $0.8395 | $ 419.7500 |
| 1000+ | $0.8151 | $ 815.1000 |
