| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N2879 |
| Référence EBEE | E87175448 |
| Boîtier | TO-111 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 30W 5A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $674.2014 | $ 674.2014 |
| 200+ | $269.0121 | $ 53802.4200 |
| 500+ | $260.0214 | $ 130010.7000 |
| 1000+ | $255.5811 | $ 255581.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N2879 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 30W | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 250mV@100µA,1mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $674.2014 | $ 674.2014 |
| 200+ | $269.0121 | $ 53802.4200 |
| 500+ | $260.0214 | $ 130010.7000 |
| 1000+ | $255.5811 | $ 255581.1000 |
