| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N2432UB |
| Référence EBEE | E86667549 |
| Boîtier | SMD-4P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 360mW 80@1mA,5V 100mA NPN SMD-4P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $53.2715 | $ 53.2715 |
| 200+ | $21.2557 | $ 4251.1400 |
| 500+ | $20.5464 | $ 10273.2000 |
| 1000+ | $20.1942 | $ 20194.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | ||
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N2432UB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 360mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 30V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 80@1mA,5V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 150mV@500µA,10mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $53.2715 | $ 53.2715 |
| 200+ | $21.2557 | $ 4251.1400 |
| 500+ | $20.5464 | $ 10273.2000 |
| 1000+ | $20.1942 | $ 20194.2000 |
