| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N2219AE4 |
| Référence EBEE | E86803356 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 800mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $31.3449 | $ 31.3449 |
| 200+ | $12.5083 | $ 2501.6600 |
| 500+ | $12.0901 | $ 6045.0500 |
| 1000+ | $11.8827 | $ 11882.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N2219AE4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 800mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@50mA,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $31.3449 | $ 31.3449 |
| 200+ | $12.5083 | $ 2501.6600 |
| 500+ | $12.0901 | $ 6045.0500 |
| 1000+ | $11.8827 | $ 11882.7000 |
