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Microchip Tech 2N1613L
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N1613L |
| Référence EBEE | E85495819 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $57.5247 | $ 57.5247 |
| 200+ | $22.9535 | $ 4590.7000 |
| 500+ | $22.1867 | $ 11093.3500 |
| 1000+ | $21.8069 | $ 21806.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N1613L | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 30V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@15mA,150mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $57.5247 | $ 57.5247 |
| 200+ | $22.9535 | $ 4590.7000 |
| 500+ | $22.1867 | $ 11093.3500 |
| 1000+ | $21.8069 | $ 21806.9000 |
