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Microchip Tech 2N1486
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N1486 |
| Référence EBEE | E86803350 |
| Boîtier | TO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 1.75W 35@750mA,4V 3A NPN TO-8 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $155.7152 | $ 155.7152 |
| 200+ | $62.1321 | $ 12426.4200 |
| 500+ | $60.0546 | $ 30027.3000 |
| 1000+ | $59.0298 | $ 59029.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N1486 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.75W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 15uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 55V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 35@750mA,4V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 750mV@40mA,750A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $155.7152 | $ 155.7152 |
| 200+ | $62.1321 | $ 12426.4200 |
| 500+ | $60.0546 | $ 30027.3000 |
| 1000+ | $59.0298 | $ 59029.8000 |
