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Microchip Tech 1N5806US
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N5806US |
| Référence EBEE | E85444764 |
| Boîtier | MELF |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 875mV@1A 25ns 1A 150V MELF Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Microchip Tech 1N5806US | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 1uA@150V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 25ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 150V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 2.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
Guide d’achat
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