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MDD(Microdiode Semiconductor) US1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US1G |
| Référence EBEE | E8415549 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0123 | $ 0.6150 |
| 500+ | $0.0098 | $ 4.9000 |
| 1500+ | $0.0084 | $ 12.6000 |
| 5000+ | $0.0073 | $ 36.5000 |
| 25000+ | $0.0067 | $ 167.5000 |
| 50000+ | $0.0063 | $ 315.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) US1G | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 50uA | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 75ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0123 | $ 0.6150 |
| 500+ | $0.0098 | $ 4.9000 |
| 1500+ | $0.0084 | $ 12.6000 |
| 5000+ | $0.0073 | $ 36.5000 |
| 25000+ | $0.0067 | $ 167.5000 |
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