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MDD(Microdiode Semiconductor) SS8050
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SS8050 |
| Référence EBEE | E8431710 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 25V 300mW 120@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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1385550 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0134 | $ 0.6700 |
| 500+ | $0.0112 | $ 5.6000 |
| 3000+ | $0.0063 | $ 18.9000 |
| 6000+ | $0.0055 | $ 33.0000 |
| 24000+ | $0.0052 | $ 124.8000 |
| 51000+ | $0.0050 | $ 255.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) SS8050 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| Current - Collector(Ic) | 1.5A | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 400 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0134 | $ 0.6700 |
| 500+ | $0.0112 | $ 5.6000 |
| 3000+ | $0.0063 | $ 18.9000 |
| 6000+ | $0.0055 | $ 33.0000 |
| 24000+ | $0.0052 | $ 124.8000 |
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