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LGE SS8550
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SS8550 |
| Référence EBEE | E8717456 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 25V 300mW 1.5A PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0252 | $ 0.5040 |
| 200+ | $0.0199 | $ 3.9800 |
| 1000+ | $0.0167 | $ 16.7000 |
| 2000+ | $0.0150 | $ 30.0000 |
| 10000+ | $0.0133 | $ 133.0000 |
| 20000+ | $0.0125 | $ 250.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | LGE SS8550 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type de transistor | PNP | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 25V | |
| Fréquence de transition (fT) | 200MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV |
Guide d’achat
Développer
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| 20+ | $0.0252 | $ 0.5040 |
| 200+ | $0.0199 | $ 3.9800 |
| 1000+ | $0.0167 | $ 16.7000 |
| 2000+ | $0.0150 | $ 30.0000 |
| 10000+ | $0.0133 | $ 133.0000 |
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