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KIOXIA TC58NYG0S3HBAI6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TC58NYG0S3HBAI6 |
| Référence EBEE | E8481875 |
| Boîtier | VFBGA-67 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Description | 1.7V~1.95V 1Gbit VFBGA-67 NAND FLASH ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Mémoire ,NAND FLASH | |
| Fiche Technique | KIOXIA TC58NYG0S3HBAI6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+85℃ | |
| Interface | Parallel | |
| Tension - Approvisionnement | 1.7V~1.95V | |
| Taille de la mémoire | 1Gbit | |
| Temps de programmation de la page (Tr.) | 25ns | |
| Standby Supply Current | 50uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
Guide d’achat
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