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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURS120T3G |
| Référence EBEE | E85296729 |
| Boîtier | SMB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 875mV@1A 35ns 2A 200V SMB Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0348 | $ 0.6960 |
| 200+ | $0.0277 | $ 5.5400 |
| 600+ | $0.0242 | $ 14.5200 |
| 3000+ | $0.0217 | $ 65.1000 |
| 12000+ | $0.0196 | $ 235.2000 |
| 18000+ | $0.0184 | $ 331.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | JSMSEMI MURS120T3G | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 2uA@200V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 35ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 40A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0348 | $ 0.6960 |
| 200+ | $0.0277 | $ 5.5400 |
| 600+ | $0.0242 | $ 14.5200 |
| 3000+ | $0.0217 | $ 65.1000 |
| 12000+ | $0.0196 | $ 235.2000 |
| 18000+ | $0.0184 | $ 331.2000 |
