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JSMSEMI MJD127T4G-JSM
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MJD127T4G-JSM |
| Référence EBEE | E820606863 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 1000@4V,4A PNP 8A 1.75W TO-252 Darlington Transistors ROHS |
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|---|---|---|
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| 50+ | $0.1190 | $ 5.9500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors Darlington | |
| Fiche Technique | JSMSEMI MJD127T4G-JSM | |
| RoHS | ||
| Type | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Current - Collector(Ic) | 8A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.75W | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector Cutoff | 10uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 4V@8A,80mA | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz |
Guide d’achat
Développer
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