| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ES1D |
| Référence EBEE | E82923914 |
| Boîtier | SMAG |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 950mV@1A 35ns Independent Type 1A 200V SMAG Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0257 | $ 0.5140 |
| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0182 | $ 10.9200 |
| 5000+ | $0.0160 | $ 80.0000 |
| 10000+ | $0.0146 | $ 146.0000 |
| 20000+ | $0.0139 | $ 278.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. ES1D | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@200V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 35ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0257 | $ 0.5140 |
| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0182 | $ 10.9200 |
| 5000+ | $0.0160 | $ 80.0000 |
| 10000+ | $0.0146 | $ 146.0000 |
| 20000+ | $0.0139 | $ 278.0000 |
