| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IS34ML01G081-BLI |
| Référence EBEE | E81348840 |
| Boîtier | VFBGA-63(9x11) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Description | 2.7V~3.6V 1Gbit VFBGA-63(9x11) NAND FLASH ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Mémoire ,NAND FLASH | |
| Fiche Technique | ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+85℃ | |
| Interface | - | |
| Tension - Approvisionnement | 2.7V~3.6V | |
| Taille de la mémoire | 1Gbit | |
| Temps de programmation de la page (Tr.) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 10uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
