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Infineon Technologies BSP50E6327
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSP50E6327 |
| Référence EBEE | E84365859 |
| Boîtier | SOT-223-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 2000@10V,500mA 45V NPN 1A 1.5W SOT-223-4 Darlington Transistors ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1372 | $ 0.1372 |
| 200+ | $0.0531 | $ 10.6200 |
| 500+ | $0.0513 | $ 25.6500 |
| 1000+ | $0.0504 | $ 50.4000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors Darlington | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies BSP50E6327 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.5W | |
| gain de courant continu (hFE-Vce, Ic) | 2000@10V,500mA | |
| Tension collector-émetteur (Vcéo) | 45V | |
| Fréquence de transition (fT) | 200MHz | |
| Courant de coupure du collecteur (Icbo-Vcb) | 10uA | |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.8V@1mA,1A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1372 | $ 0.1372 |
| 200+ | $0.0531 | $ 10.6200 |
| 500+ | $0.0513 | $ 25.6500 |
| 1000+ | $0.0504 | $ 50.4000 |
