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Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BFR193E6327HTSA1 |
| Référence EBEE | E8513261 |
| Boîtier | SOT-23-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 12V 580mW 70@30mA,8V 80mA NPN SOT-23-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 50+ | $0.1381 | $ 6.9050 |
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| 500+ | $0.1028 | $ 51.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 12V | |
| Current - Collector(Ic) | 80mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 580mW | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 2V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 8GHz |
Guide d’achat
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