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Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S34ML01G200BHI000 |
| Référence EBEE | E8117901 |
| Boîtier | BGA-63 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Description | 2.7V~3.6V 1Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Mémoire ,NAND FLASH | |
| Fiche Technique | Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+85℃ | |
| Interface | - | |
| Tension - Approvisionnement | 2.7V~3.6V | |
| Fréquence de l'horloge | - | |
| Taille de la mémoire | 1Gbit | |
| Temps de programmation de la page (Tr.) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
