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HXY MOSFET US2M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US2M |
| Référence EBEE | E85199102 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.85V@2A Independent Type 2A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0157 | $ 0.7850 |
| 500+ | $0.0124 | $ 6.2000 |
| 2000+ | $0.0100 | $ 20.0000 |
| 4000+ | $0.0089 | $ 35.6000 |
| 24000+ | $0.0080 | $ 192.0000 |
| 50000+ | $0.0075 | $ 375.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET US2M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@1kV | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.85V@2A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 60A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
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| 4000+ | $0.0089 | $ 35.6000 |
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