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HXY MOSFET US1MF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US1MF |
| Référence EBEE | E85199091 |
| Boîtier | SMAF |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 1kV SMAF Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 50+ | $0.0080 | $ 0.4000 |
| 500+ | $0.0063 | $ 3.1500 |
| 1500+ | $0.0054 | $ 8.1000 |
| 10000+ | $0.0046 | $ 46.0000 |
| 20000+ | $0.0041 | $ 82.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET US1MF | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1kV | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
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