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HXY MOSFET US1J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US1J |
| Référence EBEE | E85199104 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 600V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 20+ | $0.0110 | $ 0.2200 |
| 200+ | $0.0089 | $ 1.7800 |
| 600+ | $0.0076 | $ 4.5600 |
| 2000+ | $0.0058 | $ 11.6000 |
| 10000+ | $0.0052 | $ 52.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET US1J | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
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| 600+ | $0.0076 | $ 4.5600 |
| 2000+ | $0.0058 | $ 11.6000 |
| 10000+ | $0.0052 | $ 52.0000 |
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