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HXY MOSFET S8550
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S8550 |
| Référence EBEE | E85184407 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 25V 300mW 120@50mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0104 | $ 0.5200 |
| 500+ | $0.0085 | $ 4.2500 |
| 3000+ | $0.0067 | $ 20.1000 |
| 6000+ | $0.0061 | $ 36.6000 |
| 24000+ | $0.0055 | $ 132.0000 |
| 51000+ | $0.0052 | $ 265.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET S8550 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | - | |
| Type | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 120 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 600mV | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 50+ | $0.0104 | $ 0.5200 |
| 500+ | $0.0085 | $ 4.2500 |
| 3000+ | $0.0067 | $ 20.1000 |
| 6000+ | $0.0061 | $ 36.6000 |
| 24000+ | $0.0055 | $ 132.0000 |
| 51000+ | $0.0052 | $ 265.2000 |
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