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HXY MOSFET RS2M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RS2M |
| Référence EBEE | E85199100 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.3V@2A 500ns Independent Type 2A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 50+ | $0.0119 | $ 0.5950 |
| 500+ | $0.0093 | $ 4.6500 |
| 2000+ | $0.0077 | $ 15.4000 |
| 4000+ | $0.0068 | $ 27.2000 |
| 24000+ | $0.0060 | $ 144.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET RS2M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1kV | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@2A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
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