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HXY MOSFET KBU810
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KBU810 |
| Référence EBEE | E87507393 |
| Boîtier | KBU |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 180A 1.1V@8A 8A 1kV KBU Bridge Rectifiers ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3381 | $ 0.3381 |
| 10+ | $0.2702 | $ 2.7020 |
| 30+ | $0.2401 | $ 7.2030 |
| 100+ | $0.2038 | $ 20.3800 |
| 400+ | $0.1827 | $ 73.0800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Bridge Rectifiers | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET KBU810 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10.5mA | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.1V@8A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 1kV | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 180A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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