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HXY MOSFET HUMH9NTN
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HUMH9NTN |
| Référence EBEE | E822461935 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 2 NPN-Pre-Biased 150mW 100mA SOT-363 Digital Transistors ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0489 | $ 0.4890 |
| 100+ | $0.0386 | $ 3.8600 |
| 300+ | $0.0335 | $ 10.0500 |
| 3000+ | $0.0297 | $ 89.1000 |
| 6000+ | $0.0266 | $ 159.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HUMH9NTN | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 13kΩ | |
| Resistor Ratio | 5.7 | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 68 | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz | |
| Output Voltage(VO(on)) | 300mV |
Guide d’achat
Développer
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| 300+ | $0.0335 | $ 10.0500 |
| 3000+ | $0.0297 | $ 89.1000 |
| 6000+ | $0.0266 | $ 159.6000 |
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