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HXY MOSFET HMMUN2233LT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HMMUN2233LT1G |
| Référence EBEE | E822396410 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1 NPN - bias preset 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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2150 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0180 | $ 0.9000 |
| 500+ | $0.0140 | $ 7.0000 |
| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
| 6000+ | $0.0105 | $ 63.0000 |
| 24000+ | $0.0094 | $ 225.6000 |
| 51000+ | $0.0087 | $ 443.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HMMUN2233LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 4.7kΩ | |
| Resistor Ratio | 0.1 | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 200 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
Guide d’achat
Développer
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| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
| 6000+ | $0.0105 | $ 63.0000 |
| 24000+ | $0.0094 | $ 225.6000 |
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