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HXY MOSFET HBAV99WT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HBAV99WT1G |
| Référence EBEE | E822396412 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 1 pair in series 6ns 200mA SOT-323 Switching Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 50+ | $0.0150 | $ 0.7500 |
| 500+ | $0.0118 | $ 5.9000 |
| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
| 6000+ | $0.0088 | $ 52.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HBAV99WT1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2.5uA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@150mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+125℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 6000+ | $0.0088 | $ 52.8000 |
| 24000+ | $0.0078 | $ 187.2000 |
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