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HXY MOSFET GS1M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GS1M |
| Référence EBEE | E841419595 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1A Independent Type 1kV 1.1V SMA Diodes - General Purpose ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 50+ | $0.0099 | $ 0.4950 |
| 500+ | $0.0077 | $ 3.8500 |
| 2000+ | $0.0065 | $ 13.0000 |
| 4000+ | $0.0058 | $ 23.2000 |
| 24000+ | $0.0052 | $ 124.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes - General Purpose | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET GS1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1000V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | - | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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