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HXY MOSFET GBU810
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GBU810 |
| Référence EBEE | E87507379 |
| Boîtier | GBU |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200A 1.1V@8A 8A 1kV GBU Bridge Rectifiers ROHS |
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| 5+ | $0.1974 | $ 0.9870 |
| 50+ | $0.1550 | $ 7.7500 |
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| 500+ | $0.1142 | $ 57.1000 |
| 2500+ | $0.1041 | $ 260.2500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Bridge Rectifiers | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET GBU810 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5.1uA | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.1V@8A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 1kV | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 200A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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