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HXY MOSFET ES2J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ES2J |
| Référence EBEE | E85199098 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.7V@2A 35ns Independent Type 2A 600V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0130 | $ 0.6500 |
| 500+ | $0.0102 | $ 5.1000 |
| 2000+ | $0.0084 | $ 16.8000 |
| 4000+ | $0.0074 | $ 29.6000 |
| 24000+ | $0.0066 | $ 158.4000 |
| 50000+ | $0.0061 | $ 305.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET ES2J | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@2A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
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