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HXY MOSFET ES1J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ES1J |
| Référence EBEE | E85199095 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.7V@1A 35ns Independent Type 1A 600V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0088 | $ 0.1760 |
| 200+ | $0.0070 | $ 1.4000 |
| 600+ | $0.0060 | $ 3.6000 |
| 2000+ | $0.0048 | $ 9.6000 |
| 10000+ | $0.0043 | $ 43.0000 |
| 20000+ | $0.0040 | $ 80.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET ES1J | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
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| 600+ | $0.0060 | $ 3.6000 |
| 2000+ | $0.0048 | $ 9.6000 |
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