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HXY MOSFET ES1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ES1G |
| Référence EBEE | E85199096 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.25V@1A 35ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 20+ | $0.0099 | $ 0.1980 |
| 200+ | $0.0077 | $ 1.5400 |
| 600+ | $0.0066 | $ 3.9600 |
| 2000+ | $0.0056 | $ 11.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET ES1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@400V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
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