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HXY MOSFET B5817W
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | B5817W |
| Référence EBEE | E85766597 |
| Boîtier | SOD-123 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V Independent Type 1A 450mV@1A SOD-123 Schottky Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET B5817W | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 1mA@20V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 20V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 450mV@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 9A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+125℃ |
Guide d’achat
Développer
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